ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਰਿਬਨਾਂ ਨੂੰ ਸ਼ਾਮਲ ਕਰਨ ਵਾਲੇ ਟਵਿਸਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਧਿਐਨਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਨਵੀਂ ਪਹੁੰਚ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਮੋੜ ਦੇ ਕੋਣ 'ਤੇ ਬਿਹਤਰ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰ ਸਕਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਦੋ-ਅਯਾਮੀ (2D) ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਲੱਗਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਮਰੋੜਨ ਅਤੇ ਦਬਾਉਣ ਤੋਂ ਪੈਦਾ ਹੋਣ ਵਾਲੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵਾਂ ਦਾ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨਾ ਆਸਾਨ ਬਣਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਪਿਛਲੇ ਟਵਿਸਟ੍ਰੋਨਿਕਸ ਅਧਿਐਨਾਂ ਨੇ ਸਮੱਗਰੀ ਦੇ ਦੋ ਫਲੈਕਸਾਂ ਨੂੰ ਮਰੋੜਨ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਸਟੈਕ ਕਰਨ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਤ ਕੀਤਾ ਸੀ, ਪਰ ਨਵੀਂ ਰਿਬਨ-ਅਧਾਰਿਤ ਤਕਨੀਕ ਟਵਿਸਟ ਕੋਣ ਵਿੱਚ ਵਧੇਰੇ ਨਿਰੰਤਰ ਤਬਦੀਲੀ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀ ਹੈ, ਬਿਹਤਰ ਨਿਯੰਤਰਣ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਪ੍ਰਭਾਵਾਂ ਦਾ ਆਸਾਨ ਅਧਿਐਨ ਕਰਨ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀ ਹੈ।
2D ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਸਟੈਕ ਕਰਕੇ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਕੋਣ ਨੂੰ ਬਦਲ ਕੇ, ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ ਖੋਜ ਕੀਤੀ ਹੈ ਕਿ ਉਹ ਇਹਨਾਂ ਸਮੱਗਰੀਆਂ ਦੀਆਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦਾ ਇੱਕ ਬਾਇਲੇਅਰ ਜਦੋਂ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਬੋਰਾਨ ਨਾਈਟਰਾਈਡ ਦੇ ਸੰਪਰਕ ਵਿੱਚ ਰੱਖਿਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਤਾਂ ਇੱਕ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਵਿਕਸਿਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਇਹ ਇਸ ਲਈ ਵਾਪਰਦਾ ਹੈ ਕਿਉਂਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਅਤੇ hBN ਦੀਆਂ ਥੋੜੀਆਂ ਮੇਲ ਖਾਂਦੀਆਂ ਪਰਤਾਂ ਇੱਕ ਮੋਇਰੇ ਸੁਪਰਲੈਟੀਸ ਬਣਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ, ਜੋ ਇੱਕ ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਬਣਾਉਣ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦੀਆਂ ਹਨ। ਲੇਅਰਾਂ ਨੂੰ ਹੋਰ ਮਰੋੜ ਕੇ ਅਤੇ ਉਹਨਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਕੋਣ ਨੂੰ ਵਧਾ ਕੇ, ਬੈਂਡ ਗੈਪ ਗਾਇਬ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
ਸਮੱਗਰੀ ਦੀ ਰਸਾਇਣਕ ਰਚਨਾ ਨੂੰ ਬਦਲੇ ਬਿਨਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਬਦਲਣ ਦੀ ਇਹ ਯੋਗਤਾ ਡਿਵਾਈਸ ਇੰਜੀਨੀਅਰਿੰਗ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਬੁਨਿਆਦੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਨਵੀਂ ਦਿਸ਼ਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ "ਟਵਿਸਟ੍ਰੋਨਿਕਸ" ਕਿਹਾ ਗਿਆ ਹੈ। ਹਾਲਾਂਕਿ, ਮਰੋੜ ਦੇ ਕੋਣਾਂ ਅਤੇ ਸੰਬੰਧਿਤ ਤਣਾਅ ਨੂੰ ਨਿਯੰਤਰਿਤ ਕਰਨਾ ਇੱਕ ਚੁਣੌਤੀ ਬਣਿਆ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਕਿਉਂਕਿ ਇੱਕ ਨਮੂਨੇ ਦੇ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੋ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਇਸ ਨੂੰ ਦੂਰ ਕਰਨ ਲਈ, ਕੋਲੰਬੀਆ ਯੂਨੀਵਰਸਿਟੀ ਦੇ ਖੋਜਕਰਤਾਵਾਂ ਨੇ hBN ਦੇ ਸਿਖਰ 'ਤੇ ਇੱਕ ਰਿਬਨ-ਆਕਾਰ ਦੀ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਪਰਤ ਰੱਖੀ ਅਤੇ ਇੱਕ ਪਾਈਜ਼ੋ-ਐਟਮੀ ਫੋਰਸ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਕੋਪ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਕਰਕੇ ਹੌਲੀ ਹੌਲੀ ਰਿਬਨ ਦੇ ਇੱਕ ਸਿਰੇ ਨੂੰ ਮੋੜਿਆ। ਇਸਨੇ ਇੱਕ ਮੋੜ ਵਾਲਾ ਕੋਣ ਬਣਾਇਆ ਜੋ ਲਗਾਤਾਰ ਬਦਲਦਾ ਰਹਿੰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੱਕ ਸਮਾਨ ਤਣਾਅ ਪ੍ਰੋਫਾਈਲ ਜਿਸਦਾ ਅਨੁਮਾਨ ਲਗਾਇਆ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
ਖੋਜਕਰਤਾ ਲਗਾਤਾਰ ਤਣਾਅ ਅਤੇ ਮਰੋੜ ਦੇ ਕੋਣ ਦੋਵਾਂ ਨੂੰ ਟਿਊਨ ਕਰਨ ਦੇ ਯੋਗ ਸਨ, ਉਹਨਾਂ ਨੂੰ ਮਰੋੜੇ ਕੋਣਾਂ ਦੇ "ਫੇਜ਼ ਡਾਇਗ੍ਰਾਮ" ਤੱਕ ਬੇਮਿਸਾਲ ਪਹੁੰਚ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੇ ਹੋਏ। ਨਿਯੰਤਰਣ ਦਾ ਇਹ ਪੱਧਰ ਟਵਿਸਟ ਐਂਗਲ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬੈਂਡ ਬਣਤਰ ਦੀ ਨਿਰਭਰਤਾ ਦੀ ਸਟੀਕ ਮੈਪਿੰਗ ਦੀ ਆਗਿਆ ਦਿੰਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਪਹਿਲਾਂ ਸੰਭਵ ਨਹੀਂ ਸੀ। ਇਸ ਤੋਂ ਇਲਾਵਾ, ਨਵੀਂ ਤਕਨੀਕ ਮੈਜਿਕ ਐਂਗਲ ਬਾਈਲੇਅਰ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿਚ ਸਟ੍ਰੇਨ ਦੀ ਭੂਮਿਕਾ ਨੂੰ ਦੁਬਾਰਾ ਪੈਦਾ ਕਰਨ ਯੋਗ ਤਰੀਕੇ ਨਾਲ ਮਾਪਣ ਦਾ ਪਹਿਲਾ ਮੌਕਾ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਟਵਿਸਟਡ ਲੇਅਰ ਸਿਸਟਮਾਂ ਵਿਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਬੈਂਡ ਢਾਂਚੇ ਨੂੰ ਕੰਟਰੋਲ ਕਰਨ ਲਈ ਨਵੇਂ ਵਿਚਾਰਾਂ ਨੂੰ ਖੋਲ੍ਹਦੀ ਹੈ।
ਸਰੋਤ: ਕੋਈ ਨਹੀਂ